مالیکولر بیم ایپیټیکسي یا MBE، په کریسټال سټلیوټ کې د کرسټالونو لوړ پوړو فلمونو وده کولو لپاره نوی تخنیک دی. د تودوخې وړو شرایطو کې، د تودوخې ډډ په هر ډول اړین اجزاو سره سمبال شوی او د بخار په مینځ کې، دا کولی شي په ورته وخت کې رامینځته شوي ساحاتو ته تنظیم کړي، دا کولی شي په چینايي برخو کې جوړ شوي ساحاتو ته مستقیم انکشن وکړي، دا کولی شي په ورته وخت کې ساحوي یا اټومونو ته په ورته وخت کې جوړ شوي ساحاتو ته زیان ورسوي "وده".

د Mbe تجهیزاتو نورمال فعالیت لپاره، لوړ پاکۍ، ټیټ فشار، ټیټ فشار او الټرا پاک مایع ته اړتیا ده او په دوامداره توګه د تجهیزاتو د یخولو خونې ته لیږدول کیږي. په عموم کې، یو ټانک چې مایع نایتروجن چمتو کوي د 0.3MPA او 0.8mp.لیفجنس نایتروجن تر مینځ تولید فشار لري. یوځل چې مایع نایتروجن د شاوخوا 1: 700 سره د پایپ لاین کې ګیسټ شي، دا به د مایع نایټروجن پایپ لاین په پای کې مصرف کړي او عادي جریان کم کړي. سربیره پردې، د مایع نایتروجن ذخیره ټانک کې، احتمال شتون لري چې خاوره نه وي پاک شوي. د مایع نایټروجن پایپ لاین کې، د لوند هوا شتون به د یخ سید نسل لامل شي. که دا ناورین په تجهیزاتو کې رخصت وي، نو دا به تجهیزاتو ته د نه منلو وړ زیان لامل شي.

له همدې امله، د بیروني ذخیره ټانک کې مایع نایټروجن په دسمبر کې موثریت، ثبات او پاکوالي، د ترانسپورت کنټرول سیسټم سره Mbe تجهیزاتو ته لیږدول کیږي.